Chip sans silicium: la Chine a de nouveaux processeurs bismuto qui battent tous les enregistrements de performance existants

Un groupe de chercheurs de l'Université de Pékin a développé une nouvelle technologie de puce qui n'utilise pas de silicium, contournant les restrictions imposées par les États-Unis

La Chine fait un pas décisif vers l'indépendance technologique dans le secteur des semi-conducteurs. En réponse aux restrictions imposées par les États-Unis sur l'accès aux technologies basées sur le silicium les plus avancées, un groupe de recherche dirigé par le professeur Peng Hoilin deUniversité de Pékin Il a annoncé la création d'une puce haute performance qui. Selon les scientifiques, cette innovation représente un réel changement de paradigme:

Si les innovations avec des matériaux existantes sont des raccourcis, notre transistor 2D est un changement de voie.

Un transistor 2D à Bismuto au lieu du silicium

Le nouveau transistor développé par l'équipe chinoise est basé sur un matériau alternatif: le bismuto. Ce métal a permis de créer deux nouveaux composés, le Bi₂o₂se et le Bi₂seo₅qui jouent le rôle respectivement matériau semi-conducteur et de Oxyde élevé diélectrique. Grâce à ces documents, les chercheurs ont réussi à construire grilles extrêmement mincessans dispersion et capable de réduire considérablement le tension de commutation.

Cette solution pourrait permettre à la Chine de surmonter définitivement la dépendance au silicium et, par conséquent, sur les technologies étrangères, en particulier celles américaines. Le projet est le résultat de presque Dix ans de recherche mené à l'Université de Pékin, à partir de laquelle la découverte des matériaux Bi₂se / Bi₂seo₅ a également émergé.

GAAFET Architecture défie les géants du secteur

Là nouvelle architecture du transistor quitte le modèle FINFET traditionnel en faveur d'une configuration Gaafet (FET Gate-All-Ring). Cette structure élimine les ailettes présentes dans les transistors conventionnels, permettant un Meilleure gestion actuelle Il s'agit d'une plus grande densité d'intégration, essentielle pour surmonter la limite technologique des 3 nanomètres.

Selon les scientifiques chinois, le transistor bismuto dépasse les performances des puces de 3 nm fait par les géants du secteur comme Intel, Tsmc, Samsung et le Centre de microélectronique belge de la microélectronique. De plus, le nouvel appareil se révèle être le 40% plus puissant Par rapport à ses concurrents les plus avancés, avec une consommation d'énergie plus faible 10%. Une efficacité qui pourrait augmenter davantage avec l'amélioration du processus de production.

Source: Nature